器件、材料

针对半导体器件、材料的噪声测量：
1、直流特性，如IV曲线、IT曲线、VT曲线、RT曲线等
2、电容电压特性CV曲线（CVU）；
3、脉冲特性测试(PMU)，支持超高速脉冲测试。
4、电流波形分析，功率分析，统计，直方图，频谱

半导体

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局部放电侦测

针对高压光耦合器、高压继电器及高压开关等高绝缘耐受力之元件，提供高 压的耐压测试与局部放电侦测，确保产品质量与 提升产品可靠度。
局部放电测试器对待测物施加一个特定条件下的电压，测量其视在放电电荷量(PD)，除了验证其能否承受瞬间高电压(Hipot Test)的能力，同时也验证在额定工作电压的绝缘完整性。
局部放电测试能够侦测待测物是否存在异常气隙，透过施加一个略高于元件最高额定工作电压的局部放电电 荷测试，用以检验电气元件在正常工作电压条件下之长久可靠性，但于实际生产上绝缘材料内部当然不可能百分之百无气隙存在于绝缘材料内， 故在IEC60747-5-5光耦合器法规针对局部放电测试定义其放电电荷量不能大于5pC (qpd=5pC)。